14th International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS-14)が開催され、工学部 電気電子工学科 服部佳晋教授がGaN(窒化ガリウム)パワー半導体に関する2件のポスター発表を行いました。
発表タイトルは、(1)「Comparison of switching characteristics of 650V GaN power device and SiC/Si power devices」と(2)「Toplogy Optimization of Junction Termination Extension in Vertical Gan Power Device」です。(1)は名古屋大学との共同研究、(2)は関西学院大学との共同研究の成果です。