大学院 工学研究科 修士課程 電気電子工学専攻 2年 服部研究室の林郡君さんが、第１著者で書いた「縦型GaN PNダイオードのトポロジー最適化」の論文が、電子情報通信学会論文誌に掲載されました。本研究は、関西学院大学との共同研究成果です。内容は、高性能な構造を自動的に導出する手法であるトポロジー最適化を縦型GaNパワーデバイスの構造設計に適用したというものです。パワーデバイスで課題となる、オン抵抗と耐電圧のトレードオフを改善する構造の導出を行った結果、ドリフト層がp型とn型のコラムとなる構造が導出され、トレードオフが大幅に改善されることを示しました。従来のパワーデバイスの構造設計を大幅に簡素化できる技術として期待されています。

論文はこちらからhttps://search.ieice.org/bin/summary.php?id=j109-c_2_85&category=C&year=2026&lang=J&abst=